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【2h】

Polarity control in double-gate, gate-all-around vertically stacked silicon nanowire FETs

机译：双栅极的极性控制，门 - 全绕垂直堆叠硅纳米线FET

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作者
M. De Marchi; D. Sacchetto; S. Frache; J. Zhang; P.-E. Gaillardon; Y. Leblebici; G. De Micheli;
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年度 2012
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