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【2h】

Paper Dark Current Characterization of Low-noise CMOS Global Shutter Pixels Using Pinned Storage Diodes

机译：纸张使用固定存储二极管的低噪声CMOS全局快门像素的暗电流表征

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作者
Keita Yasutomi; Taishi Takasawa; Shoji Kawahito;
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年度 2014
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1. A Two-Stage Charge Transfer Active Pixel CMOS Image Sensor With Low-Noise Global Shuttering and a Dual-Shuttering Mode [J] . Yasutomi K.Itoh S.Kawahito S. Electron Devices, IEEE Transactions on . 2011,第3期

机译：具有低噪声全局快门和双快门模式的两阶段电荷转移有源像素CMOS图像传感器
2. A High-Speed CMOS Image Sensor with Global Electronic Shutter Pixels Using Pinned Diodes [J] . Keita Yasutomi, Toshihiro Tamura, Masanori Furuta, 電気学会論文誌 . 2009,第10期

机译：具有固定二极管的全局电子快门像素的高速CMOS图像传感器
3. CMOS Global Shutter Charge Storage Pixels With Improved Performance [J] . Velichko Sergey, Hynecek Jaroslav Jerry, Johnson Richard Scott, Electron Devices, IEEE Transactions on . 2016,第1期

机译：具有改进性能的CMOS全局快门电荷存储像素
4. A High-Speed CMOS Image Sensor with Global Electronic Shutter Pixels Using Pinned Diodes [C] . Keita Yasutomi, Toshihiro Tamura, Masanori Furuta, Sensor Symposium on Sensors, Micromachines, and Applied Systems . 2008

机译：具有全局电子快门像素的高速CMOS图像传感器，使用固定二极管
5. Differential Integrator Pixel Architecture for Dark Current Compensation in CMOS Image Sensors [D] . Mehri Dehnavi, Marzieh. 2015

机译：CMOS图像传感器暗电流补偿的差分积分器像素架构
6. Development of Gentle Slope Light Guide Structure in a 3.4 μm Pixel Pitch Global Shutter CMOS Image Sensor with Multiple Accumulation Shutter Technology [O] . Hiroshi Sekine, Masahiro Kobayashi, Yusuke Onuki, 2017

机译：采用多种累积快门技术的3.4μm像素间距全局快门CMOS图像传感器中温和倾斜光导结构的开发
7. Development of Gentle Slope Light Guide Structure in a 3.4 μm Pixel Pitch Global Shutter CMOS Image Sensor with Multiple Accumulation Shutter Technology [O] . Hiroshi Sekine, Masahiro Kobayashi, Yusuke Onuki, 2017

机译：在具有多重累积快门技术的3.4μm像素间距全局快门CmOs图像传感器中开发柔和斜面光导结构

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