机译:Ga2O3的电子结构,缺陷和掺杂特性的最新进展
机译:不同掺杂位点的Zn掺杂β-Ga2O3的电子结构和光学性质
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机译:Si-掺杂GaN(0001)表面上本地点缺陷的电子结构和光学性质
机译:基于超宽带隙A1N和β-GA2O3的电子设备:器件制造,辐射效应和缺陷表征
机译:低温处理的Sn掺杂In2O3薄膜的电性能:微观结构和氧含量的作用以及缺陷调制掺杂的潜力
机译:第一性原理计算铝掺杂β-Ga2O3与内在缺陷的电子和光学性质
机译:非晶格匹配III-V半导体界面缺陷的结构和电子特性。进展报告,1989--90