机译:深入了解功率GaN HEMT的断态击穿机制
机译:结构和过程变化对P-GaN功率HEMT的时间依赖性离子崩溃的影响
机译:AlGaN / GaN功率HEMT的关态降解:随时间变化的漏极-源极击穿的实验演示
机译:用于开关电源应用的AlGaN / GaN MIS-HEMT的断态击穿特性
机译:洞察N极GaN深凹槽垫的设计,制造和MM波功率性能
机译:关于碳掺杂GaN中供体/受体补偿比的建模在横向GaN功率Hemts中的单一再现击穿电压和电流塌陷
机译:用于开关电力应用的AlGaN / GaN MIS-HEMT的断开状态击穿特性