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【2h】

Methods for resolving the challenges of degradation diagnosis for SiC power MOSFET

机译：解决SIC电源MOSFET降解诊断挑战的方法

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Hui-Chen Yang;
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机译：基于重复动力循环应力下的低频噪声的SiC功率MOSFET的降解行为及缺陷分析
2. Selection Methodology for Si Power MOSFETs Used to Enhance SiC Power MOSFET Short-Circuit Capability With the BaSIC(EMM) Topology [J] . Kanale Ajit, Baliga B. Jayant IEEE Transactions on Power Electronics . 2021,第7期

机译：SI功率MOSFET的选择方法，用于增强SIC电源MOSFET短路能力，基本（EMM）拓扑
3. Investigation on the Degradation Mechanism for SiC Power MOSFETs Under Repetitive Switching Stress [J] . Wei Jiaxing, Liu Siyang, Lou Rongcheng, Emerging and Selected Topics in Power Electronics, IEEE Journal of . 2021,第2期

机译：重复开关应力下SiC功率MOSFET降解机制的研究
4. Power Cycling Test on 3.3kV SiC MOSFETs and the Effects of Bipolar Degradation on the Temperature Estimation by VSD-Method [C] . Felix Hoffmann, Victor Soler, Andrei Mihaila, International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs . 2019

机译：用V SD -方法估算3.3kV SiC MOSFET的功率循环测试以及双极退化对温度的影响
5. A Wide-Range Input Auxiliary Power Supply Based on Series-Connected SiC MOSFETs for Modular Multi-Level Converter [D] . Saeed, Muhammad A. 2020

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6. A Non-Intrusive Method for Monitoring the Degradation of MOSFETs [O] . Li-Feng Wu, Yu Zheng, Yong Guan, 2014

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