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Phase-change memory: A continuous multilevel compact model of subthreshold conduction and threshold switching

机译：相变存储器：亚阈值传导和阈值切换的连续多级紧凑模型

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Corentin Pigot; Fabien Gilibert; Marina Reyboz; Marc Bocquet; Paola Zuliani; Jean-Michel Portal;
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年度 2018
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1. Phase-change memory: A continuous multilevel compact model of subthreshold conduction and threshold switching [J] . Pigot Corentin, Gilibert Fabien, Reyboz Marina, Japanese journal of applied physics . 2018,第4S期

机译：相变存储器：亚阈值传导和阈值切换的连续多级紧凑模型
2. Analytical model for subthreshold conduction and threshold switching in chalcogenide-based memory devices [J] . Daniele Ielmini, Yuegang Zhang Journal of Applied Physics . 2007,第5期

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3. Experimental study of the series resistance effect and its impact on the compact modeling of the conduction characteristics of HfO_2-based resistive switching memories [J] . D. Maldonado, F. Aguirre, G. Gonzalez-Cordero, Journal of Applied Physics . 2021,第5期

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4. A field-induced threshold switching model of phase-change memory [C] . Yiqun Wei, Xinnan Lin IEEE International Nanoelectronics Conference . 2016

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5. An investigation of the switching threshold of multilayer thin film magneto-resistive memory elements [D] . Waite, Ruth I. 1987

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