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Design and modeling of nonvolatile memories by resistive switching elements

机译：电阻开关元件的非易失性存储器的设计与建模

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3. Improved Resistive Switching Reliability in Graded NiO Multilayer for Resistive Nonvolatile Memory Devices [J] . Lee M.-J., Lee C. B., Lee D., Electron Device Letters, IEEE . 2010,第7期

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4. Finite element modeling of resistive switching in Nb2O5-based memory device [C] . Xinjun Liu, Nandi Sanjoy Kumar, Venkatachalam Dinesh Kumar, Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices . 2014

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5. Design and Modeling of Nonvolatile Memories by Resistive Switching Elements [D] . Junsangsri, Pilin. 2017

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6. Toward ultimate nonvolatile resistive memories: The mechanism behind ovonic threshold switching revealed [O] . Pierre Noé, Anthonin Verdy, Francesco d’Acapito, 2020

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7. Redox‐Active Vanadium‐Based Polyoxometalate as an Active Element in Resistive Switching Based Nonvolatile Molecular Memory [O] . Sterin N. S., Nivedita Basu, Marc Cahay, 2020

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