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Erratum: “Formation mechanism of cerium oxide-doped indium oxide/Ag ohmic contacts on p-type GaN” Appl. Phys. Lett. 89, 262115 (2006)

机译：错误：“P型GaN”苹果酱氧化铈掺杂氧化铟氧化物/ Ag欧姆触点的形成机理“物理。吧。 89,262115（2006）

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Dong-Seok Leem; Tae-Wook Kim; Takhee Lee; Ja-Soon Jang; Young-Woo Ok; Tae-Yeon Seong;
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年度 2007
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