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【2h】

High performance nBn detectors based on InGaAsSb bulk materials for short wavelength infrared detection

机译：基于InGaAssB散装材料的高性能NBN探测器，用于短波长射频检测

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Nong Li; Ju Sun; Qingxuan Jia; Yifeng Song; Dongwei Jiang; Guowei Wang; Yingqiang Xu; Zhichuan Niu;
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年度 2019
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1. High performance nBn detectors based on InGaAsSb bulk materials for short wavelength infrared detection [J] . Nong Li, Ju Sun, Qingxuan Jia, AIP Advances . 2019,第10期

机译：基于InGaAssB散装材料的高性能NBN探测器，用于短波长射频检测
2. Performance of dual-band short-or mid-wavelength infrared photodetectors based on InGaAsSb bulk materials and InAs/GaSb superlattices [J] . Yao-yao Sun, Zhi-chuan Niu, Yue-xi Lv, 中国物理：英文版 . 2017,第009期

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3. Short-wave infrared barriode detectors using InGaAsSb absorption material lattice matched to GaSb [J] . A. P. Craig, M. Jain, G. Wicks, Applied Physics Letters . 2015,第20期

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4. Room temperature performance of Mid-Wavelength Infrared InAsSb nBn detectors [C] . Alexander Soibel, Cory J. Hill, Sam A. Keo, Quantum sensing and nanophotonic devices XII . 2015

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5. A Short-Wavelength Infrared Photon Detector Based on Charge Injection [D] . Fathipour, Vala. 2016

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6. Bias–selectable nBn dual–band long–/very long–wavelength infrared photodetectors based on InAs/InAs1−xSbx/AlAs1−xSbx type–II superlattices [O] . Abbas Haddadi, Arash Dehzangi, Romain Chevallier, -1

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7. Short-wave infrared barriode detectors using InGaAsSb absorption material lattice matched to GaSb [O] . Craig Adam, Jain M., Wicks G., 2015

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