机译:退火模式(001)InP在砷流中的砷中砷/ Inp / Dmitriev D.v.,Toropov A.i.,Gilinsky A.,Kolosovsky D.A.,Kozhukhov A.S.,Zhulavleov K.S.。
机译:InP(001),(111)A,(111)B衬底上ErP / InP和InP / ErP / InP异质结构的制备及其表面观察
机译:InP(001),(111)A和(111)B上的生长和表面形态ErP / InP和InP / ErP / InP异质结构
机译:InP(001),(111)A,(111)B衬底上ErP / InP和InP / ErP / InP异质结构的制备及其表面观察
机译:InP-InAlAs和InGaP-InAlAs混合垫片可减少InAlAs / InGaAs / InP HEMT中的栅极泄漏电流
机译:高速GaAsSb-InP和InGaAs-InP单向载流子光电二极管的仿真与比较
机译:InGaAs / InAlAs / InP量子级联激光器的In0.52Al0.48As波导层MBE生长条件的优化
机译:基质(001)InP的退火条件的影响在作为Inalas外延层的质量上
机译:在Inp< 001>上的低温mBE生长的Inalas层的TEm结构研究。基质