机译:具有30 ps 120 k逻辑门和片上测试电路的抗软错误的0.9 ns 1.15-Mb ECL-CMOS SRAM
机译:使用基于动态CMOS逻辑的新型4晶体管XOR / XNOR门的高速14晶体管全加器单元
机译:具有非易失性状态的FinFET CMOS逻辑门,用于可重构计算系统
机译:逻辑门阈值电压可控单金属栅极FinFET CMOS逆变器通过使用3T / 4T-FinFet的共同集成实现
机译:单事件效应下CMOS FinFET结构的表征-基本电荷收集机制和软错误模式
机译:具有实际门延迟模型的CMOS组合逻辑电路的准确动态功率估算
机译:三栅极sOI-FINFET器件参数对22Nm CmOs逆变器性能的影响
机译:有缺陷的双BJT BiCmOs逻辑门的行为