首页> 外文OA文献 >A Schottky-barrier silicon FinFET with 6.0 mV/dec Subthreshold Slope over 5 decades of current

【2h】

A Schottky-barrier silicon FinFET with 6.0 mV/dec Subthreshold Slope over 5 decades of current

机译：肖特基 - 屏障硅FinFET，具有6.0 MV / DEC亚阈值斜率超过5数十年的电流

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Jian Zhang; Michele De Marchi; Pierre-Emmanuel Gaillardon; Giovanni De Micheli;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2014
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Negative Capacitance FinFET With Sub-20-mV/decade Subthreshold Slope and Minimal Hysteresis of 0.48 V [J] . Eunah Ko, Jae Woo Lee, Changhwan Shin Electron Device Letters, IEEE . 2017,第4期

机译：负电容FinFET，具有低于20mV /十年的亚阈值斜率和0.48 V的最小滞后
2. Role of gate current and polarization switching in sub-60 mV/decade steep subthreshold slope in metal-ferroelectric HfZrO_2-metal-insulator-Si FET [J] . Jang Kyungmin, Kobayashi Masaharu, Hiramoto Toshiro Japanese journal of applied physics . 2018,第11期

机译：栅电流和极化切换在金属铁电体HfZrO_2-金属-绝缘体-Si FET中低于60 mV /十年的陡峭亚阈值斜率中的作用
3. A Non-Hysteretic Sub-60-mV/decade Subthreshold Slope and ON-Current Boosts in Electrostrictive-Piezoelectric Transistors [J] . Raj K. Jana Electron Device Letters, IEEE . 2017,第12期

机译：电致伸缩压电晶体管的非迟滞低于60mV /十年的亚阈值斜率和导通电流提升
4. A Schottky-barrier silicon FinFET with 6.0 mV/dec Subthreshold Slope over 5 decades of current [C] . Jian Zhang, De Marchi Michele, Gaillardon Pierre-Emmanuel, IEEE International Electron Devices Meeting . 2014

机译：肖特基势垒硅FinFET在5年的电流下具有6.0 mV / dec的亚阈值斜率
5. Optimizing Ferroelectric Nanowire Fet for Sub-60mV/Decade Sub-Threshold Slope [D] . Raol, Abhishek Kartik. 2020

机译：优化铁电纳米线FET，用于子60mV /十年子阈值斜率
6. Two Dimensional Electrostrictive Field Effect Transistor (2D-EFET): A sub-60mV/decade Steep Slope Device with High ON current [O] . Saptarshi Das -1

机译：二维电致伸缩场效应晶体管（2D-EFET）：60mV /十倍以下陡峭斜率器件具有高导通电流
7. A silicon doped hafnium oxide ferroelectric p–n–p–n SOI tunneling field–effect transistor with steep subthreshold slope and high switching state current ratio [O] . Saeid Marjani, Seyed Ebrahim Hosseini, Rahim Faez 2016

机译：硅掺杂氧化铪铁电p-n-p-n sOI隧穿场效应晶体管，具有陡峭的亚阈值斜率和高开关电流比
8. Ada Compiler Validation Summary Report. Verdix Corporation, VADS DEC-RISC-68k,Ultrix 3.1, VAda-110-61125 Version 6.0, DECstation 3100 (Host) to MVME147 (Motorola 68030) (Target), 900726W1.11024 [R] . 1991

机译：ada编译器验证摘要报告。 Verdix Corporation，VaDs DEC-RIsC-68k，Ultrix 3.1，Vada-110-61125版本6.0，DECTER 3100（主机）至mVmE147（motorola 68030）（目标），900726W1.11024

A Schottky-barrier silicon FinFET with 6.0 mV/dec Subthreshold Slope over 5 decades of current

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅