机译:使用γ-γ与γ-γ扰动角度相关性的GaN中的电子性质在没有电触点的情况下
机译:勘误:Ta掺杂的TiO_2半导体的结构和电子性能的第一性原理和时差y-y扰动角相关光谱学研究。 B版79115213(2009)]
机译:掺Ta掺杂TiO_2半导体结构和电子性能的第一性原理和时差γ-γ扰动角相关光谱学研究
机译:Au触点的电气和结构性质与KOH处理N-GaN的相关性
机译:用钽-181中的扰动角相关方法研究anti铁酸铅中fer位的电四极相互作用。
机译:利用伽马射线辐射的角相关性研究碳酸酐化
机译:Au触点的电和结构性质与KOH处理过的n-GaN的相关性