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【2h】

Low-Jitter GaN E-HEMT Gate Driver With High Common-Mode Voltage Transient Immunity

机译：低抖动GaN E-HEMT栅极驱动器具有高共模电压瞬态免疫力

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Mario Mauerer; Arda Tuysuz; Johann W. Kolar;
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年度 2017
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1. Low-Jitter GaN E-HEMT Gate Driver With High Common-Mode Voltage Transient Immunity [J] . Mario Mauerer, Arda Tüysüz, Johann W. Kolar IEEE Transactions on Industrial Electronics . 2017,第11期

机译：具有高共模电压瞬态抗扰度的低抖动GaN E-HEMT栅极驱动器
2. Study and Implementation of 600-V High-Voltage Gate Driver IC With the Common-Mode Dual-Interlock Technique for GaN Devices [J] . Zhu Jing, Yu Siyuan, Lu Yangyang, IEEE Transactions on Industrial Electronics . 2021,第2期

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3. Integrated Gate Drivers Based on High-Voltage Energy Storing for GaN Transistors [J] . Achim Seidel, Bernhard Wicht Solid-State Circuits, IEEE Journal of . 2018,第12期

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4. Measuring small differential-mode voltages with high common-mode voltages and fast transients – Application to gate drivers for wide band-gap switches [C] . Hadiseh Geramirad, Florent Morel, Bruno Lefebvre, International Symposium on Electromagnetic Compatibility . 2020

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6. N- and L-Type Voltage-Gated Calcium Channels Mediate Fast Calcium Transients in Axonal Shafts of Mouse Peripheral Nerve [O] . Ruxandra Barzan, Friederike Pfeiffer, Maria Kukley 2016

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