机译:掺杂剂在掺杂单层MoS2中引入了谷底极化,自旋和谷底霍尔电导率
机译:掺杂剂引入谷极化,旋转和谷霍尔电导率在掺杂的单层MOS2中
机译:自旋轨道相互作用和杂质掺杂在单层MoS2热力学性质中的作用
机译:在V_DS = 1V的高电流2D NFET使用单层CVD MOS2而无需有意掺杂的v_ds = 1V
机译:使用脉冲电检测磁共振研究(111)取向的磷掺杂晶体硅与二氧化硅界面处的自旋相关跃迁和自旋相干性。
机译:Fe-C6掺杂单层MoS2中自旋相关的热电效应
机译:掺杂剂引入谷极化,旋转和谷霍尔电导率在掺杂的单层MOS2中