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机译:基于臭氧的湿化学蚀刻过程中整个晶片表面的数值模拟
机译:GaAs(211)B晶片的湿化学蚀刻,用于控制表面性质
机译:单晶圆湿法刻蚀稀氟化氢刻蚀二氧化硅薄膜的表面化学反应模型
机译:通过数控局部湿法刻蚀改善块状硅片的厚度均匀性
机译:基于臭氧的湿化学蚀刻的数值模拟
机译:具有表面电荷的高纵横比结构的湿法蚀刻COMSOL多发性模拟
机译:异丙醇浓度和刻蚀时间对低电阻晶体硅晶片湿化学各向异性刻蚀的影响
机译:在硅晶片的湿化学蚀刻中保护芯片角的技术
机译:在在线工厂中对用于制造太阳能电池的单晶半导体晶片进行表面处理的方法,涉及通过晶片执行P-N结工艺,并对晶片的背面进行湿化学蚀刻工艺
机译:半导体晶片中的金属杂质深度分布是通过反复蚀刻水平晶片整个表面的蚀刻液并进行蚀刻液分析来确定的
机译:再生主要由硅制成的半导体晶圆包括确定晶圆主表面的损坏程度,对表面进行研磨和化学机械抛光以及湿法化学清洁
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