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机译:自我受损钨中的氘潴留饱和度暴露于高通量等离子体
M.H.J. t Hoen; B. Tyburska-Püschel; K. Ertl; M. Mayer; J. Rapp; A.W. Kleyn; P.A. Zeijlmans van Emmichoven;
机译:暴露于高通量等离子体的自毁钨中氘保留的饱和度
机译:在高表面温度下暴露于高通量等离子体的自毁钨中的氘保留降低
机译:暴露于高通量氘等离子体中的钨和钨钽合金中的氘保留
机译:钨和钼暴露于低能量,高通量氘质等离子体的表面改性和氘保留
机译:氩气对序贯和同时离子辐射下多晶硅钨氘保留的影响
机译:暴露于氢等离子体的二硫化钨纳米粒子的氢化学构型和热稳定性
机译:钨和钨中的氘保留:暴露于高通量氘等离子体的钽合金
机译:焊接异种金属配合部分的方法太阳能集热器的铝和铜结部分涉及通过钨极惰性气体或等离子焊接工艺在裸露的边缘进行对接部分的重叠焊接
机译:使用低压低偏压氘(氘)等离子体的选择性二氧化硅去除
机译:用于半导体的钨互连图案形成方法-在图案限定层所限定的多晶硅膜的暴露部分上生长钨,该膜优选为高掺杂氧化膜
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