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【2h】

Electrical properties of high-pressure reactive sputtered thin hafnium oxide high-kgate dielectrics

机译：高压反应溅射薄铪氧化物高kgate电介质的电气性能

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作者
S Dueñas; H Castán; H García; A Gómez; L Bailón; M Toledano-Luque; I Mártil; G González-Díaz;
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年度 2007
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