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机译:氯基栅极凹槽的耦合效应和翅片宽度调制对基于AlGaN / GaN Fin基高电子迁移率晶体管的阈值电压
机译:SiC埋入式栅极静电感应晶体管的短路能力:沟道宽度对短路性能的基本机理和影响
机译:亚微米鳍片宽度的单片和多片静电感应晶体管中的电流缩放
机译:GaN静电感应晶体管的设计与开发
机译:具有不同铟含量和不同阱宽度的InGaN / GaN多量子阱基LED的电致发光特性
机译:GaN和AlGaN静电感应晶体管的仿真