机译:用氮化物层中的局部俘获电荷表征MNOSFET的横向电容
机译:包含SiO2 / Si3N4界面过渡层的p沟道氧化硅-氮化物-氧化物-硅存储器件中电荷俘获特性的表征
机译:非晶铟镓锌氧化锌薄膜上Si3N4和Al2O3层的电荷俘获特性
机译:使用转移矩阵法通过HFO2 / SiO2纳米厚层模拟通过HFO2 / SiO2纳米厚层的MOS电容器的电荷捕获电荷
机译:适用于单层和多层应用的集成式Si3N4波导电路
机译:以富含Si的SiOX作为电荷陷阱层和铟锡锌氧化物的透明非易失性存储器件的特性
机译:用Si3N4或Si-Rich SiN电荷捕获层作为TANOS存储器中替代阻断电介质的渗滤器评估