机译:在65-NM批量CMOS过程中缓解单事件瞬变的布局方法的有效性
机译:基于多物理方法和电仿真的65nm体CMOS技术中的单事件瞬态建模
机译:布局拓扑对65 nm体CMOS工艺中单事件瞬态脉冲猝灭的影响
机译:在高温下采用65 nm体CMOS技术进行单事件瞬态脉冲宽度测量
机译:体和SOI FinFET中的辐射引起的单事件瞬变(SET)效应以及与体CMOS的鲁棒性比较。
机译:CMOS单光子雪崩二极管阵列和深层学习处理器动态荧光寿命感应
机译:批量偏见作为模拟单事件瞬态缓解技术,损失可忽略不计