机译:GaAs使用光刻胶的高选择性低压电感耦合等离子体刻蚀工艺
机译:用光致抗蚀剂掩模在Cl-2 / Ar,Cl-2 / Ar / O-2化学中对GaAs进行电感耦合等离子体刻蚀
机译:开发用于最大掩模蚀刻的过程配方和具有垂直侧壁的最大蚀刻速率,用于深度,高度各向异性电感耦合等离子体(ICP)蚀刻熔融二氧化硅的蚀刻
机译:使用具有电感耦合等离子体的光致抗蚀剂掩模,通过靠近垂直壁轮廓的孔的蚀刻蚀刻200μm深气孔。
机译:合理设计超低k介电材料的无损电容耦合等离子体蚀刻和光刻胶剥离工艺。
机译:不同氟基混合气体使用电感耦合等离子体干法刻蚀钛酸钡薄膜的比较分析
机译:高密度平面电感耦合BCL3 / SF6PLASMA中的Algaas和Ingap半导体选择性蚀刻GaAs和InGap半导体的研究
机译:ICl和IBr基化学中的电感耦合等离子体蚀刻:第一部分:Gaas,Gasb和alGaas;等离子体化学和等离子体处理