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【2h】

Demonstration of the Short-circuit Ruggedness of a 10 kV Silicon Carbide Bipolar Junction Transistor

机译：10 kV碳化硅双极连接晶体管的短路坚固性的示范

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Besar Asllani; Herve Morel; Pascal Bevilacqua; Dominique Planson;
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年度 2020
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1. Static and Switching Characteristics of 10 kV-Class Silicon Carbide Bipolar Junction Transistors and Darlingtons [J] . Besar Asllani, Pascal Bevilacqua, Herve Morel, Materials science forum . 2020,第期

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2. Comparative evaluation of the short-circuit withstand capability of 1.2 kV silicon carbide (SiC) power transistors in real life applications [J] . Kampitsis Georgios, Papathanassiou Stavros, Manias Stefanos Microelectronics & Reliability . 2015,第12PTaB期

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3. Silicon carbide bipolar junction transistor with novel emitter field plate design for high current gain and reliability [J] . Zhang Yourun, Chen Hang, Luo Maojiu, Semiconductor science and technology . 2019,第4期

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机译：10 kV级碳化硅双极连接晶体管和达林顿静态和切换特性
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