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EFFECTIVE NUMERICAL INTEGRATION OF TRAVELING WAVE MODEL FOR EDGE‐EMITTING BROAD‐AREA SEMICONDUCTOR LASERS AND AMPLIFIERS

机译：边缘发射广域半导体激光器和放大器行波模型的有效数值集成

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作者
Raimondas Čiegis; Mindaugas Radziunas;
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年度 2010
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1. Effective numerical integration of traveling wave model for edgeâemitting broadâarea semiconductor lasers and amplifiers [J] . R. Äiegisa amp, M. Radziunasb Mathematical Modelling and Analysis . 2010,第4期

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2. Comparative study of some travelling-wave semiconductor laser amplifier models [J] . Gillner L. IEE Proceedings. Part J . 1992,第5期

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3. Numerical modelling of action on transparent semiconductors of short and ultrashort laser pulses with wavelength at the material absorption edge. [J] . A. Grigorev, R. Nikolaev, O. Velchko Procedia CIRP . 2020,第Suppla1期

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5. Native oxidation of aluminum-bearing III-V semiconductors with applications to edge- and surface-emitting lasers and to the stabilization of light emitting diodes. [D] . Richard, Timothy Allen. 1995

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