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Erratum: “Analysis of plasma-modes of a gated bilayer system in high electron mobility transistors” J. Appl. Phys. 119, 193102 (2016)

机译：误斗：“高电子迁移率晶体管中的门控双层系统的等离子体模式”J。苹果。物理。 119,193102（2016）

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Shubhendu Bhardwaj; Siddharth Rajan; John L. Volakis;
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年度 2016
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1. Analysis of plasma-modes of a gated bilayer system in high electron mobility transistors [J] . Shubhendu Bhardwaj, Siddharth Rajan, John L. Volakis Journal of Applied Physics . 2016,第19期

机译：高电子迁移率晶体管中门控双层系统的等离子体模式分析
2. Erratum: 'Coupling of electric charge and magnetic field via electronic phase separation in (La,Pr,Ca)MnO_3/Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3)O_3-PbTiO_3 multiferroic heterostructures' [J. Appl. Phys. 119,154507 (2016)] [J] . Zheng Ming, Wang Wei Journal of Applied Physics . 2018,第8期

机译：勘误表：“在（La，Pr，Ca）MnO_3 / Pb（Mg_（1/3）Nb_（2/3）O_3-PbTiO_3多铁性异质结构中通过电子相分离耦合电荷和磁场）[J.应用物理学。119,154507（2016）]
3. Publisher’s Note: “Analysis of dislocation scattering on electron mobility in GaN high electron mobility transistors” [J. Appl. Phys. 93, 10046 (2003)] [J] . Journal of Applied Physics . 2012,第2期

机译：出版者的注释：“位错散射对GaN高电子迁移率晶体管中电子迁移率的分析” [J.应用物理93，10046（2003）]
4. Quasi-bipolar channel modulation instability analysis for P-GaN gate High Electron Mobility Transistor [C] . Cen Tang, Xueyang Li, Mingchen Hou, International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs . 2016

机译：P-GaN栅极高电子迁移率晶体管的准双极沟道调制不稳定性分析
5. Gate-recessed gallium nitride high electron mobility transistors with scaled gate length. [D] . Chu, Rongming. 2008

机译：栅长短的栅凹氮化镓高电子迁移率晶体管。
6. Erratum: Kinase detection with gallium nitride based high electron mobility transistors Appl. Phys. Lett. 103 013701 (2013) [O] . Matthew S. Makowski, Isaac Bryan, Zlatko Sitar, -1

机译：勘误表：使用基于氮化镓的高电子迁移率晶体管进行的激酶检测物理来吧103013701（2013）
7. Erratum: “Enhancing magnetoelectric effect in multiferroic composite bilayers via flexoelectricity” J. Appl. Phys. 119, 134102 (2016) [O] . Chunli Zhang, Lingli Zhang, Xudong Shen, 2016

机译：错误：“通过柔性电性提高多体复合双层的磁电效应”J。苹果。物理。 119,134102（2016）

Erratum: “Analysis of plasma-modes of a gated bilayer system in high electron mobility transistors” J. Appl. Phys. 119, 193102 (2016)

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