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【2h】

Correlative Nanoscale Luminescence and Elemental Mapping in InGaN/(Al)GaN Dot-in-a-wire Heterostructures

机译：IngaN /（Al）GaN点内异质结构的相关纳米级发光和元素映射

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作者
Steffi Y Woo; Mathieu Kociak; Hieu P T Nguyen; Zetian Mi; Gianluigi A Botton;
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年度 2016
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1. Optical phonon modes in InGaN/GaN dot-in-a-wire heterostructures grown by molecular beam epitaxy [J] . Titus J., Nguyen H.P.T., Mi Z., Applied Physics Letters . 2013,第12期

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3. Enhanced Luminescence Efficiency Due To Carrier Localization In Ingan/gan Heterostructures Grown On Nanoporous Gan Templates [J] . C. B. Soh, S. Y. Chow, L. Y. Tan, Applied Physicsletters . 2008,第17期

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