首页> 外文OA文献 >Resistivity profiles in multicrystalline silicon ingots featuring gallium co-doping

【2h】

Resistivity profiles in multicrystalline silicon ingots featuring gallium co-doping

机译：具有镓共掺杂的多晶硅硅锭的电阻率曲线

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Rune Søndenå; Halvard Haug; Adolphus Song; Chen-Chih Hsueh; Jan Ove Odden;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2018
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Compensation effect of donor and acceptor impurities co-doping on the electrical properties of directionally solidified multicrystalline silicon ingots [J] . M. Dhamrin, T. Saitoh, I. Yamaga, Journal of Crystal Growth . 2009,第3期

机译：施主和受主杂质共掺杂对定向凝固多晶硅锭电性能的补偿作用
2. Transition-metal profiles in a multicrystalline silicon ingot [J] . Daniel Macdonald, Andres Cuevas, A. Kinomura, Journal of Applied Physics . 2005,第3期

机译：多晶硅锭中的过渡金属轮廓
3. Resistivity Distribution of Multicrystalline Silicon Ingot Grown by Directional Solidification [J] . S. H. Sun, Y. Tan, W. Dong, Journal of Materials Engineering and Performance . 2012,第6期

机译：定向凝固生长的多晶硅锭的电阻率分布
4. Resistivity profiles in multicrystalline silicon ingots featuring gallium co-doping [C] . Rune Sondena, Halvard Haug, Adolphus Song, International Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics . 2018

机译：具有镓共掺杂的多晶硅硅锭的电阻率曲线
5. THE EFFECTS OF NONUNIFORMITY ON THE MODELING OF RESISTIVITY IN POLYCRYSTALLINE SILICON THIN FILMS (POLYSILICON, GRAIN BOUNDARY, DISTRIBUTION FUNCTION, DOPING PROFILE, TEM). [D] . KRULL, WADE ALLEN. 1985

机译：非均匀性对多晶硅硅薄膜（多晶硅，晶界，分布函数，掺杂曲线，TEM）中电阻率建模的影响。
6. Phosphorus diffusion gettering process of multicrystalline silicon using a sacrificial porous silicon layer [O] . Derbali Lotfi, Ezzaouia Hatem 2012

机译：使用牺牲多孔硅层的多晶硅磷扩散吸杂工艺
7. Research and Preparation of High Quality Polysilicon Ingots and Multicrystalline Silicon (mc-Si) Cells [O] . 2016

机译：高品质多晶硅锭和多晶硅（mc-si）电池的研究与制备
8. The Mobility, Resistivity and Carrier Density in p-Type Silicon Doped with Boron, Gallium and Indium [R] . Linares, L. C. 1979

机译：掺杂硼，镓和铟的p型硅的迁移率，电阻率和载流子密度

Resistivity profiles in multicrystalline silicon ingots featuring gallium co-doping

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅