机译:低位错密度散装GaN衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的可靠性:表面步骤边缘的含义
机译:低位错密度块状GaN衬底上AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的可靠性:表面台阶边缘的含义
机译:低位错密度块状GaN衬底上AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的可靠性:表面台阶边缘的含义
机译:在蓝宝石衬底上形成的N极GaN / AlGaN / GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管具有最小的台阶束
机译:通过降低ALN缓冲层中的位错密度,在Si衬底上降低AlGaN / GaN高电子 - 迁移率 - 晶体管结构的缓冲漏电流
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:具有再生欧姆接触的半绝缘Ammono-GaN衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:低位错密度块状GaN衬底上AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的可靠性:表面台阶边缘的含义
机译:si,GaN和alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)晶片的非接触迁移率,载流子密度和薄层电阻测量。