机译:NOR型纳米级SONOS存储设备中的8级3位单元编程技术
机译:使用自对准互连制造技术的新型三维高密度堆叠环绕栅晶体管(S-SGT)闪存架构,无需光刻工艺即可用于太比特级及以上
机译:用于纳米级SONOS存储器的有前途的多位/级编程操作
机译:利用工程隧道势垒技术制造SONOS闪存设备
机译:多晶硅-氮氧化物-氧化硅(SONOS)非易失性半导体存储器件的设计,制造和表征。
机译:SONOS闪存中氮化物内电荷迁移抑制的研究
机译:通过设计用于x8 NaND闪存器件的闪存控制器的性能增强
机译:在某些EpROm,EEpROm,闪存和闪存微控制器211半导体器件以及包含它的产品中。调查编号337-Ta-395