机译:优化的脊形波导设计改善了1.31-μm量子点激光器的温度性能
机译:1.29 / spl mu / m GaInNAs具有改进性能的多个量子阱脊波导激光二极管
机译:通过修改GaAs间隔层的温度曲线,改善了1.3- / splμm/ m In(Ga)As量子点激光器的性能
机译:1.3 / spl mu / m范围的窄脊波导多层InAs / InGaAs / GaAs量子点激光器
机译:散热器设计,提高II-V量子点激光器的性能和可靠性
机译:窄脊波导高功率单模1.3μmInAs / InGaAs十层量子点激光器
机译:通过优化的脊波导设计改善1.31-mu / m量子点激光器的温度性能 ud
机译:Inassb / Inp量子点激光器在室温下接近2(μm)的连续波操作