机译:InAs / InSb纳米线异质结构场效应晶体管的单极和双极操作
机译:InAs,InSb和GaSb N沟道纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管在弹道输运极限中的性能比较
机译:InSb和InAs纳米线场效应晶体管的温度相关特性
机译:由InSb,Carbon和GaSb-InAs断裂间隙异质结构制成的隧穿场效应晶体管的性能比较
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:自催化InAs / InSb轴向异质结构纳米线的生长:实验和理论
机译:场效应晶体管:基于纳米线的基于纳米型场效应晶体管的离子 - 液体栅极(ADV。Funct。Matter。3/2019)