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【2h】

SiC Planar MOSFETs With Built-In Reverse MOS-Channel Diode for Enhanced Performance

机译：具有内置反向MOS通道二极管的SIC平面MOSFET，可增强性能

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Xintian Zhou; Hao Gong; Yunpeng Jia; Dongqing Hu; Yu Wu; Tian Xia; Haoyang Pang; Yuanfu Zhao;
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年度 2020
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1. Fabrication of a 650V Superjunction MOSFET With Built-in MOS-Channel Diode for Fast Reverse Recovery [J] . Zhi-Yuan Ye, Lei Liu, Yao Yao, IEEE Electron Device Letters . 2019,第7期

机译：具有内置MOS沟道二极管的650V超结MOSFET的制造，可实现快速反向恢复
2. SiC Double-Trench MOSFETs With Embedded MOS-Channel Diode [J] . Zhou Xintian, Pang Haoyang, Jia Yunpeng, IEEE Transactions on Electron Devices . 2020,第2期

机译：带嵌入式MOS通道二极管的SIC双沟MOSFET
3. Simulation Study of a Power MOSFET With Built-in Channel Diode for Enhanced Reverse Recovery Performance [J] . Zhang Meng, Wei Jin, Zhou Xianda, IEEE Electron Device Letters . 2019,第1期

机译：具有内置沟道二极管以增强反向恢复性能的功率MOSFET的仿真研究
4. SiC Trench MOSFET Merged Schottky Barrier Diode for Enhanced Reverse Recovery Performance [C] . Moufu Kong, Bin Wang, Huanjie Wu, International Symposium on Next Generation Electronics . 2021

机译：SiC沟槽MOSFET合并肖特基势垒二极管，以增强反向恢复性能
5. Design, Analysis, and Optimization of 1.2 kV 4H-SiC Planar-Gate Power MOSFETs for Improved High Frequency Switching [D] . Han, Kijeong. 2019

机译：1.2 kV 4H-SiC平面栅极功率MOSFET的设计，分析和优化，用于改进的高频切换
6. Radiation Response of Negative Gate Biased SiC MOSFETs [O] . Akinori Takeyama, Takahiro Makino, Shuichi Okubo, 2019

机译：负栅偏置SiC MOSFET的辐射响应
7. Performance Evaluation of Split Output Converters with SiC MOSFETs and SiC Schottky Diodes [O] . Yan Qingzeng, Yuan Xibo, Geng Yiwen, 2017

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