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【2h】

An Efficient Thermal Model for Multifinger SiGe HBTs Under Real Operating Condition

机译：实际运行条件下的多素SiGe HBT的高效热模型

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Nidhin K; Shubham Pande; Shon Yadav; Suresh Balanethiram; Deleep R. Nair; Sebastien Fregonese; Thomas Zimmer; Anjan Chakravorty;
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年度 2020
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1. Source of Low Frequency Noise in SiGe HBTs [J] . WANG Kai, LIU Yuan, DENG Wan-Ling 东华大学学报（英文版） . 2015,第006期
2. Analytical Modeling of Base Transit Time of SiGe HBTS Including Concentration Dependent Bandgap Narrowing Effect [J] . Sukla Basu 电子科技学刊：英文版 . 2010,第002期
3. An Efficient Thermal Model for Multifinger SiGe HBTs Under Real Operating Condition [J] . Nidhin K, Shubham Pande, Shon Yadav, Electron Devices, IEEE Transactions on . 2020,第11期

机译：实际运行条件下的多素SiGe HBT的高效热模型
4. Efficient Modeling of Distributed Dynamic Self-Heating and Thermal Coupling in Multifinger SiGe HBTs [J] . Suresh Balanethiram, Rosario D’Esposito, Anjan Chakravorty, IEEE Transactions on Electron Devices . 2016,第9期

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5. Effects of BEOL on self-heating and thermal coupling in SiGe multi-finger HBTs under real operating condition [J] . Dwivedi A. D. D., Chakravorty Anjan, DEsposito Rosario, Solid-State Electronics . 2016,第JANaPTaA期

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6. A study on transient intra-device thermal coupling in multifinger SiGe HBTs (Student) [C] . DEsposito R., Weis M., Sahoo A.K., IEEE Bipolar/BiCMOS circuits and technology meeting . 2014

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9. Self consistent electrothermal modeling of multifingers HBTs for power application [O] . Dhondt F., Rolland P.A., Haese N., 1996

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