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机译:使用激光辅助受控分解在氮化硅膜中形成具有2050nm直径的单纳米孔的形成
机译:使用激光辅助控制击穿在氮化硅膜中形成直径为20-50nm的单纳米孔的形成
机译:通过直接光氢化硅烷化化学官能化控制的介电击穿氮化硅纳米孔
机译:在金装饰的硅中形成直径为10 nm的直硅纳米孔
机译:通过氮化冷冻氧化物纳米晶硅粉对具有控制直径的单晶氮化硅(α-Si3N4)纳米线的合成
机译:低纵横比氮化硅纳米孔对单个纳米颗粒的检测和表征
机译:易于合成的氮化硅纳米线具有灵活的机械性能且直径受流速控制
机译:通过直接光氢化硅烷化化学官能化控制介电击穿硅氮化碳纳米孔
机译:受控击穿过程中通过激光照射在膜上定位纳米孔
机译:在受控击穿过程中通过激光照射在膜上定位纳米孔的制造
机译:在可控的故障期间通过激光照射在膜上定位纳米孔结构。
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