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机译:GaN双晶晶界作为模型系统的迁移机制
Sung Bo Lee; Seung Jo Yoo; Young-Min Kim; Jin-Gyu Kim; Heung Nam Han;
机译:氮化镓双晶晶界的迁移机理作为模型系统
机译:压力发展的证据是Ni双晶术TEM标本中晶体边界迁移的驱动力源
机译:铝双晶固体中铅杂质向晶界偏析的原子建模
机译:由区域精制高纯度铝制品制备的双晶样品中的晶界迁移
机译:识别[001]扭曲边界中晶界迁移的原子机理:分子动力学模拟
机译:GaN双晶界迁移模型的机理
机译:谷物边界的最优运输:预测迁移机制的前向模型
机译:晶界机制 - 滑移,迁移和滑动
机译:通过增加N型TFT的有源沟道的主晶界数与P型TFT的有效沟道的主晶界数和点数的比值来控制阈值电压之间的电流迁移和绝对值差的CMOS TFT相同
机译:晶界阻挡可改善CU互连中的应力迁移和电迁移
机译:铜互连中的应力迁移和电迁移改进的晶粒边界阻挡
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