机译:通过增加GaN屏障厚度提高QD / QW混合结构的内部量子效率
机译:GaN势垒厚度对蓝色InGaN / GaN多量子阱LED结构的内置电场和内部量子效率的影响
机译:通过厚度分级的厚度/最后屏障和组成渐变电子阻挡层,高内部量子效率的绿色GaN基发光二极管
机译:基于GaN / AlGaN HEMT的新型红外光电探测器,在栅中具有QW或QD
机译:GaN基发光二极管和垂直腔表面发射激光器的量子效率增强。
机译:迈向量子计算:一种混合方法将释放大量的新QD纳米结构使我们在横向耦合QD方面更进一步
机译:用ag纳米粒子增强GaInN / GaN量子阱结构的内量子效率