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Quantitative Pattern Collapse Metrology for 193nm Immersion Lithography

机译：193NM浸入光刻的定量模式崩溃计量

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Gustaf Winroth; Roel Gronheid; Chua Lin; Katsumi Neishi; Ryota Harukawa; Gino Marcuccilli;
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年度 2011
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1. Quantitative Pattern Collapse Metrology for 193nm Immersion Lithography [J] . Gustaf Winroth, Roel Gronheid, Chua Lin Journal of Photopolymer Science and Technology . 2011,第2期

机译：193nm浸没式光刻的定量图案塌缩计量学
2. Quantitative Pattern Collapse Metrology for 193nm Immersion Lithography [J] . Gustaf Winroth, Roel Gronheid, Chua Lin, Journal of Photopolymer Science and Technology . 2011,第2期

机译：193nm浸没式光刻的定量图案塌缩计量学
3. Surfactinated Rinse against Pattern Collapse and Defectivity in 193nm Lithography [J] . S. I. Misat, G. G. Grozev, J. J. Versluijs Diffusion and Defect Data. Solid State Data, Part B. Solid State Phenomena . 2005,第0期

机译：在193nm平版印刷术中对图案塌陷和缺陷进行表面光化冲洗
4. Circular apertures for contact hole patterning in 193nm immersion lithography [C] . Cho Jui Tay, Chenggen Quan, Moh Lung Ling, International conference on experimental mechanics . 2010

机译：用于193nm浸没式光刻中的接触孔图案化的圆形孔
5. Line-edge roughness study of next-generation lithography: Carbon nanotubes application to sub-hundred nanometer pattern metrology. [D] . Shin, Jangho. 2003

机译：下一代光刻的线边缘粗糙度研究：碳纳米管在数百纳米图案测量中的应用。
6. X-Ray Lithography Mask Metrology: Use of Transmitted Electrons in an SEM for Linewidth Measurement [O] . Michael T. Postek, Jeremiah R. Lowney, Andras E. Vladar, 1993

机译：X射线光刻掩模计量学：透射电子在SEM中用于线宽测量
7. 25nm Immersion Lithography at a 193nm Wavelength [O] . Bruce W. Smith, Yongfa Fan, Michael Slocum, 2010

机译：在193nm波长下进行25nm浸入式光刻

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