机译:在SI-IGBT / SIC混合技术中使用1.7 kV和3.3 kV SiC二极管
机译:基于6.5 kV Si-IGBT / Si-PiN二极管,6.5 kV Si-IGBT / SiC-JBS二极管和10kV SiC-MOSFET / SiC-JBS的大功率中压转换器的设计比较二极管
机译:具有SiC肖特基势垒二极管的混合3.3 kV / 450 A半桥IGBT电源模块
机译:使用寿命控制技术和低效率发射极的3.3kV PT-IGBT和续流二极管
机译:可变寿命P-I-N二极管的物理模型和绝缘栅双极晶体管(IGBT)的二维效应
机译:二极管发光二极管(LED)光生物调制在疼痛管理面部水肿三头肌和保留下第三磨牙摘除后的生活质量方面的功效:一项随机双盲安慰剂对照的临床试验:勘误
机译:用OCVD技术测量3.3kV 4H-siC piN二极管载流子寿命温度的依赖性