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【2h】

A 2.56-GHz SEU Radiation Hard $LC$ -Tank VCO for High-Speed Communication Links in 65-nm CMOS Technology

机译：2.56-GHz SEU辐射硬$ LC $ -TANK VCO用于65-NM CMOS技术的高速通信链路

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作者
Jeffrey Prinzie; Jorgen Christiansen; Paulo Moreira; Michiel Steyaert; Paul Leroux;
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年度 2018
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1. A 56-GHz LC-Tank VCO With 17% Tuning Range in 65-nm Bulk CMOS for Wireless HDMI [J] . Microwave Theory and Techniques, IEEE Transactions on . 2010,第5期

机译：具有65％批量CMOS的17GHz调谐范围的56GHz LC-Tank VCO，用于无线HDMI
2. A LOW-VOLTAGE VARACTORLESS LC-VCO IN 65-NM CMOS TECHNOLOGY [J] . Hui Dong Lee, Jong Ho Jung, Kwang Chun Lee Microwave and optical technology letters . 2013,第2期

机译：65-NM CMOS技术中的低压无压可变LC-VCO
3. Combined Effects of Total Ionizing Dose and Temperature on a K-Band Quadrature LC-Tank VCO in a 32 nm CMOS SOI Technology [J] . T. D. Loveless, S. Jagannathan, E. X. Zhang, Nuclear Science, IEEE Transactions on . 2017,第1期

机译：在32 nm CMOS SOI技术中，总电离剂量和温度对K带正交LC-Tank VCO的综合影响
4. A 1-mW 12-GHz LC VCO in 65-nm CMOS technology [C] . Aya G. Amer, Sameh A. Ibrahim, Hani F. Ragai IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems . 2016

机译：采用65nm CMOS技术的1mW 12GHz LC VCO
5. 10 GHz LC VCOs for high-speed serial data communication ICs. [D] . Baig, Mirza Mashkoor Ahmed. 2004

机译：用于高速串行数据通信IC的10 GHz LC VCO。
6. Ultra-Low Power High Temperature and Radiation Hard Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) Silicon-on-Insulator (SOI) Voltage Reference [O] . El Hafed Boufouss, Laurent A. Francis, Valeriya Kilchytska, 2013

机译：超低功率高温和辐射硬互补金属氧化物半导体（CMOS）绝缘体上硅（SOI）电压基准
7. A 56-GHz LC-Tank VCO With 17% tuning range in 65-nm bulk CMOS for wireless HDMI [O] . González Jiménez, José Luis, Badets, Franck, Martineau, Baudouin, 2010

机译：56-GHz LC-Tank VCO在65-nm大容量CmOs中具有17％的调谐范围，适用于无线HDmI

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