首页> 外文OA文献 >Modification of the Schottky barrier height at the RuO 2 cathode during resistance degradation of Fe‐doped SrTiO 3

【2h】

Modification of the Schottky barrier height at the RuO 2 cathode during resistance degradation of Fe‐doped SrTiO 3

机译：Fe-掺杂SRTIO 3抗性降解旋转2阴极处的肖特基势垒高度的修改

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Ruth Giesecke; Ramis Hertwig; Thorsten J. M. Bayer; Clive A. Randall; Andreas Klein;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2017
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Effect of Schottky barrier height lowering on resistance degradation of Fe-doped SrTiO3 thin-film capacitor [J] . Feng Xue AIP Advances . 2021,第2期

机译：肖特基势垒高度降低对Fe掺杂SRTIO3薄膜电容器电阻降低的影响
2. Temperature- and doping-dependent nanoscale Schottky barrier height at the Au/Nb:SrTiO_3 interface [J] . Buzio R., Gerbi A., Bellingeri E., Applied Physics Letters . 2018,第14期

机译：Au / Nb：SrTiO_3界面上与温度和掺杂有关的纳米肖特基势垒高度
3. Schottky-Barrier Height Lowering by an Increase of the Substrate Doping in PtSi Schottky Barrier Source/Drain FETs [J] . Lousberg G. P., Yu H. Y., Froment B., IEEE Electron Device Letters . 2007,第期

机译：通过增加PtSi肖特基势垒源/漏FET中的衬底掺杂来降低肖特基势垒高度
4. The effect of barrier height variations in alloyed Al-Si Schottky barrier diodes on secondary electron contrast of doped semiconductors [C] . F Zaggout, M El-Gomati Conference on Microscopy of Semiconducting Materials . 2005

机译：合金al-Si肖特基势垒二极管对掺杂半导体二次电子对比度的障碍高度变化的影响
5. Dielectric dipole mitigated Schottky barrier height tuning for contact resistance reduction. [D] . Coss, Brian E. 2011

机译：介电偶极子减轻了肖特基势垒高度调整，从而降低了接触电阻。
6. Reversible Barrier Switching of ZnO/RuO2 Schottky Diodes [O] . Philipp Wendel, Dominik Dietz, Jonas Deuermeier, 2021

机译：ZnO / Ruo2肖特基二极管可逆屏障切换
7. Temperature- and doping-dependent nanoscale Schottky barrier height at the Au/Nb:SrTiO3 interface [O] . R. Buzio, A. Gerbi, E. Bellingeri, 2018

机译：在AU / NB的温度和掺杂依赖纳米级肖氏屏障高度：SRTIO3接口
8. Processing Effects on Schottky Barrier Heights for Three Terminal Transferred Electron Devices. [R] . Johnson, B. P. 1977

机译：三端子转移电子器件对肖特基势垒高度的处理效应。

Modification of the Schottky barrier height at the RuO 2 cathode during resistance degradation of Fe‐doped SrTiO 3

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅