首页> 外文OA文献 >Characterization of Silicon Crystals Grown from Melt in a Granulate Crucible

【2h】

Characterization of Silicon Crystals Grown from Melt in a Granulate Crucible

机译：从甘蓝坩埚中熔化生长的硅晶体的表征

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
K. Dadzis; R. Menzel; U. Juda; K. Irmscher; C. Kranert; M. Müller; M. Ehrl; R. Weingärtner; C. Reimann; N. Abrosimov; H. Riemann;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2020
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Quality of n-Type Czochralski Silicon Crystals for Solar Cells Grown from the Melt in Liquinert Crucibles [J] . Fukuda Tetsuo, Horioka Yukichi, Kariya Nobumasa, ECS Journal of Solid State Science and Technology . 2018,第10期

机译：用于熔融坩埚中的熔体生长的太阳能电池N型Czochralski硅晶体的质量
2. Shape and quality of Si single bulk crystals grown inside Si melts using the noncontact crucible method [J] . Kazuo Nakajima, Ryota Murai, Satoshi Ono, Japanese journal of applied physics . 2015,第1期

机译：用非接触坩埚法在硅内部生长的硅单块体晶体的形状和质量
3. Intrinsic point defects and grown-in microdefects in silicon crystals-comment on: "Intrinsic point defect behaviour in silicon crystals during growth from the melt: A model derived from experimental results", T. Abe, T. Takahashi, Journal of Crystal Growth 334 (2011) 16 [J] . V.V. Voronkov, R. Falster Journal of Crystal Growth . 2012,第1期

机译：硅晶体的本征点缺陷和生长的微缺陷，评论：“从熔体生长过程中硅晶体的本征点缺陷行为：源自实验结果的模型”，T。Abe，T。Takahashi，《晶体生长杂志》 334 （2011）16
4. Bulk Lifetime Improvement of N-type Czochralski Silicon Crystals Grown from The Melt in "Liquinert" Quartz Crucible [C] . Tetsuo Fukuda, Yukichi Horioka, Shiro Sakuragi, European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition . 2016

机译：从“Liquinert”石英坩埚中的熔体生长的N型Czochralski硅晶体的散装寿命改善
5. Microstructure control and investigation of nucleation and growth mechanism of silicon crystal grown from the hypereutectic aluminum-silicon melt. [D] . Sun, Yong-Bin. 1989

机译：过共晶铝硅熔体生长的硅晶体的微结构控制和成核及生长机理的研究。
6. Absence of free carriers in silicon nanocrystals grown from phosphorus- and boron-doped silicon-rich oxide and oxynitride [O] . Daniel Hiller, Julian López-Vidrier, Keita Nomoto, 2018

机译：由磷和硼掺杂的富硅氧化物和氮氧化物生长的硅纳米晶体中没有自由载流子
7. Lumped Parameter Model for Silicon Crystal Growth from Granulate Crucible [O] . M. Nicolai L. Lorenz‐Meyer, Robert Menzel, Kaspars Dadzis, 2020

机译：颗粒坩埚的硅晶体生长的总参数模型
8. Characterization of Silicon Grown by Cold Crucible Techniques. [R] . Fischer, D. W., Rome, J. J., Peterson, T. L., 1983

机译：冷坩埚技术生长硅的表征。

Characterization of Silicon Crystals Grown from Melt in a Granulate Crucible

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅