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【2h】

Developing the gaalas/gaas heterostructure by means of the molecular-beam epitaxy method using the indirect control of the coating growth rate

机译：通过使用间接控制涂层生长速率的分子束外延方法开发Gaalas / GaAs异质结构

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А.В. Титушкин;
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年度 2017
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1. Molecular beam epitaxy growth methods of wavelength control for InAs/(In)GaAsN/GaAs heterostructures [J] . Mamutin VV, Egorov AY, Kryzhanovskaya NV Nanotechnology . 2008,第44期

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2. Molecular-beam epitaxy growth of Ga(In) GaAs heterostructures for photodiodes [J] . David Gotthyold, Sridhar Govindaraju, Jason Reifsnider Journal of Vacuum Science & Technology. B . 2001,第4期

机译：光电二极管Ga（In）GaAs异质结构的分子束外延生长
3. GaAlAs/GaAs floating-gate memory devices with graded-gap injector grown by molecular-beam epitaxy [J] . Beltram F., Capasso F. IEEE Transactions on Electron Devices . 1988,第12期

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4. The carriers localization influence on the optical properties of GaAsN/GaAs heterostructures grown by molecular-beam epitaxy [C] . N. V. Kryzhanovskaya, A. G. Gladyshev, D. S. Sizov, International Symposium on Nanostructures: Physics and Technology . 2003

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