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【2h】

Metallic conduction through van der Waals interfaces in ultrathin $$hbox{Bi}_2hbox{Te}_3$$ films

机译：通过van der waals界面在超薄$$ hbox {bi} _2 hbox {te} _3 $$电影中的金属传导

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作者
Shinichiro Hatta; Ko Obayashi; Hiroshi Okuyama; Tetsuya Aruga;
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年度 2021
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1. Influence of van der waals interactions on morphology and dynamics in ultrathin liquid films at silicon oxide interfaces [J] . T?uber D., Trenkmann I., Von Borczyskowski C. Langmuir: The ACS Journal of Surfaces and Colloids . 2013,第11期

机译：范德华相互作用对氧化硅界面超薄液膜形态和动力学的影响
2. Tuning of Topological Dirac States via Modification of van der Waals Gap in Strained Ultrathin Bi2Se3 Films [J] . Yang Won Jun, Lee Chang Woo, Kim Da Sol, The journal of physical chemistry, C. Nanomaterials and interfaces . 2018,第41期

机译：通过在紧张的超薄Bi2se3薄膜中改变van der Waals间隙的拓扑狄拉克州的调整
3. Interface mediated semiconducting to metallic like transition in ultrathin Bi2Se3 films on (100) SrTiO3 grown by molecular beam epitaxy [J] . Debnath Anil K., Prasad R., Singh Ajay, RSC Advances . 2015,第107期

机译：通过分子束外延生长的超薄Bi2Se3薄膜中的半导体介导半导体的半导体介导
4. Developing ultrathin light emitters and metalenses based on van der Waals materials [C] . Chang-Hua Liu, Jiajiu Zheng, Shane Colburn, 2D Photonic Materials and Devices II . 2019

机译：基于van der Waals材料开发超薄发光体和金属感
5. Van der Waals Epitaxy of Ultrathin Early Transition Metal (Ti & V) (di)Selenides: Charge and Magnetic Order in the Ultrathin Limit [D] . Lopez, Manuel Bonilla. 2020

机译：Ulthath早期过渡金属（Ti＆V）（DI）硒化合物的范围（DI）：超薄极限中的电荷和磁场
6. Realizing nearly-free-electron like conduction band in a molecular film through mediating intermolecular van der Waals interactions [O] . Xingxia Cui, Ding Han, Hongli Guo, -1

机译：通过介导分子间范德华相互作用在分子膜中实现近似自由电子的导带
7. Influence of van der Waals interactions on morphology and dynamics in ultrathin liquid films at silicon oxide interfaces [O] . Täuber, Daniela, Trenkmann, Ines, von Borczyskowski, Christian 2015

机译：范德华相互作用对体外形态和动力学的影响在氧化硅界面处的超薄液膜

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