GaAs MESFETs and monolithic circuits in cryogenic environments

机译：Gaas Mesfet和低温环境中的单片电路

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D. V. Camin; G. Pessina; E. Previtali;
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年度 1994
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1. Monolithic cryogenic preamplifiers based on large gate-area GaAs MESFETs [J] . Camin D.V., Fedyakin N. IEEE Transactions on Nuclear Science . 1995,第4期

机译：基于大栅极面积GaAs MESFET的单片低温前置放大器
2. Improvements in dynamic and 1/f noise performances of GaAs MESFETs at cryogenic temperatures by using a monolithic process [J] . Camin D.V., Pessina G. IEEE Transactions on Nuclear Science . 1993,第4期

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3. Integration of high-Q GaAs varactor diodes and 0.25 mu m GaAs MESFET's for multifunction millimeter-wave monolithic circuit applications [J] . McDermott M.G., Sweeney C.N. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques . 1990,第9期

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4. Monolithic cryogenic preamplifiers based on large gate-area GaAs MESFETs [C] . Camin, D.V., Fedyakin, . 1995

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5. Fabrication, testing and reliability modeling of copper/titanium-metallized GaAs MESFETs and HEMTs for low-noise applications. [D] . Feng, Ting. 1999

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7. Towards a model of GaAs MESFETs for the design of cryogenic integrated circuits. [O] . Camin D. V., Pessina G., Previtali E., 1994

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8. Development of a Multiplexer Module for Use in a Spaceborne Cryogenic Environment Based on GaAs Mesfet Technology [R] . Fitzgerald, A. 1987

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