首页> 外文OA文献 >Kinetics Features Conducive to Cache-Type Nonvolatile Phase-Change Memory

【2h】

Kinetics Features Conducive to Cache-Type Nonvolatile Phase-Change Memory

机译：动力学功能有助于缓存型非易失性相变内存

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者

展开▼
作者单位

展开▼
年度 -1
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Kinetics Features Conducive to Cache-Type Nonvolatile Phase-Change Memory [J] . Chen Bin, Chen Yimin, Ding Keyuan, Chemistry of Materials: A Publication of the American Chemistry Society . 2019,第21期

机译：动力学功能有助于缓存型非易失性相位变化内存
2. Chemical Design Principles for Cache-Type Sc-Sb-Te Phase-Change Memory Materials [J] . Zewdie Getasew M., Zhou Yuxing, Sun Liang, Chemistry of Materials: A Publication of the American Chemistry Society . 2019,第11期

机译：缓存型SC-SB-TE相变存储材料的化学设计原理
3. Enhanced Memory Behavior in Phase-Change Nonvolatile-Memory Devices Using Multilayered Structure of Compositionally Modified Ge-Sb-Te Films [J] . Sung-Min Yoon, Seung-Yun Lee, Soon-Won Jung, Japanese journal of applied physics . 2009,第4issue1期

机译：使用成分修饰的Ge-Sb-Te膜的多层结构的相变非易失性存储设备中增强的存储行为
4. Nanoscale Optoelectronic Memory with Nonvolatile Phase-Change Photonics [C] . Nathan Youngblood, Nikolaos Farmakidis, Xuan Li, Conference on Lasers and Electro-Optics . 2020

机译：具有非易失性相变光子学的纳米级光电存储器
5. Self-assembled phase-change nanowire for nonvolatile electronic memory. [D] . Jung, Yeonwoong. 2009

机译：自组装相变纳米线，用于非易失性电子存储器。
6. Nonvolatile Reconfigurable and Narrowband Mid-Infrared Filter Based on Surface Lattice Resonance in Phase-Change Ge [O] . Xingzhe Shi, Changshui Chen, Songhao Liu, 2020

机译：基于相变电气的表面晶格共振的非易失性可重构和窄带中红外滤波器
7. Dual-Functional Nanoscale Devices Using Phase-Change Materials: A Reconfigurable Perfect Absorber with Nonvolatile Resistance-Change Memory Characteristics [O] . Niloufar Raeis-Hosseini, Junsuk Rho 2019

机译：双功能纳米级使用相变材料：具有非易失性阻力变化存储器特性的可重新配置的完美吸收器
8. 2K nonvolatile shadow RAM and 265K EEPROM SONOS nonvolatile memory development [R] . Nasby, R. D. , Murray, J. R. , Habermehl, S. D. , 1998

机译：2K非易失性影子Ram和265K EEpROm sONOs非易失性存储器开发

Kinetics Features Conducive to Cache-Type Nonvolatile Phase-Change Memory

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅