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【2h】

Optimization of periphery circuits in a 1K-bit PCRAM chip for highly reliable write and read operations

机译：1K位PCRAM芯片的优化优化高度可靠写入和读取操作

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作者
Xi Fan; Houpeng Chen; Qian Wang; Xi Li; Yiyun Zhang; Jiajun Hu; Rong Jin; Yifeng Chen; Zhitang Song;
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年度 2014
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1. Optimization of periphery circuits in a 1K-bit PCRAM chip for highly reliable write and read operations [J] . Houpeng Chen, Jiajun Hu, Qian Wang, IEICE Electronics Express . 2014,第24期

机译：优化1K位PCRAM芯片中的外围电路，以实现高度可靠的写入和读取操作
2. A 65-nm SoC Embedded 6T-SRAM Designed for Manufacturability With Read and Write Operation Stabilizing Circuits [J] . Ohbayashi S., Yabuuchi M., Nii K., IEEE Journal of Solid-State Circuits . 2007,第4期

机译：65nm SoC嵌入式6T-SRAM，设计用于具有读写操作稳定电路的可制造性
3. A 65-nm SoC Embedded 6T-SRAM Designed for Manufacturability With Read and Write Operation Stabilizing Circuits [J] . Shigeki Ohbayashi, Makoto Yabuuchi, Koji Nii, IEEE Journal of Solid-State Circuits . 2007,第期

机译：65nm SoC嵌入式6T-SRAM，设计用于具有读写操作稳定电路的可制造性
4. Optimization of a PCRAM Chip for high-speed read and highly reliable reset operations [C] . LI Xiaoyun, CHEN Houpeng, LI Xi, 2016 international workshop on information data storage and tenth international symposium on optical storage . 2016

机译：优化PCRAM芯片以实现高速读取和高度可靠的复位操作
5. Local-spin algorithms for variants of mutual exclusion using read and write operations. [D] . Danek, Robert. 2011

机译：使用读写操作的互斥变量的局部旋转算法。
6. Demonstration of a pseudo-magnetization based simultaneous write and read operation in a Co60Fe20B20/Pb(Mg1/3Nb2/3)0.7Ti0.3O3 heterostructure [O] . Tingting Shen, Vaibhav Ostwal, Kerem Y. Camsari, -1

机译：在Co60Fe20B20 / Pb（Mg1 / 3Nb2 / 3）0.7Ti0.3O3异质结构中基于伪磁化的同时写入和读取操作演示
7. Macro-molecular data storage with petabyte/cm^3 density, highly parallel read/write operations, and genuine 3D storage capability [O] . Mansuripur, Masud, Khulbe, Pramod 2017

机译：宏观分子数据存储密度为petabyte / cm ^ 3，高度平行读/写操作和真正的3D存储功能

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