Single-Event Burnout Mechanisms in SiC Power MOSFETs

机译：SIC电源MOSFET中的单事件烧坏机制

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Arthur F. Witulski; Dennis R. Ball; Kenneth F. Galloway; Arto Javanainen; Jean-Marie Lauenstein; Andrew L. Sternberg; Ronald D. Schrimpf;
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年度 2018
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1. Analysis of neutron-induced single-event burnout in SiC power MOSFETs [J] . Shoji Tomoyuki, Nishida Shuichi, Hamada Kimimori, Microelectronics & Reliability . 2015,第9a10期

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2. Mechanism for single-event burnout of power MOSFETs and its characterization technique [J] . Kuboyama S., Matsuda S. IEEE Transactions on Nuclear Science . 1992,第6期

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3. Single-Event Burnout Hardening Method and Evaluation in SiC Power MOSFET Devices [J] . Bi Jian-Xiong, Wang Ying, Wu Xue, IEEE Transactions on Electron Devices . 2020,第10期

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7. Ion-Induced Energy Pulse Mechanism for Single-Event Burnout in High-Voltage SiC Power MOSFETs and Junction Barrier Schottky Diodes [O] . D. R. Ball, J. M. Hutson, A. Javanainen, 2020

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