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机译:具有良好控制界面的氧化物异纳米晶体中电阻切换内存性能
Takafumi Ishibe; Yoshiki Maeda; Tsukasa Terada; Nobuyasu Naruse; Yutaka Mera; Eiichi Kobayashi; Yoshiaki Nakamura;
机译:微波辐射功率对溶液加工铝氧化铝电阻存储器电阻开关性能的影响
机译:超薄铝层插入对非晶氧化铝电阻存储器中电阻开关性能的影响
机译:具有不同电阻开关氧化物的电阻随机存取存储器(RRAM)的电热建模和仿真
机译:基于开关过程的建模控制非易失性铪 - 氧化物电阻开关存储器的变异性
机译:具有良好控制的界面的氧化物杂纳米晶体的电阻开关存储性能
机译:编程/擦除操作对基于氧化物的电阻式开关存储器性能的影响
机译:电阻随机存取存储单元中电阻开关层的电子势垒高度控制界面
机译:电阻随机存取存储单元中电阻切换层的电子势垒高度控制界面
机译:稀土金属和金属氧化物电极接口在电阻随机存取存储器中的氧化物存储器元件
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