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【2h】

Room-Temperature Bonding of Wafers with Smooth Au Thin Films in Ambient Air Using a Surface-Activated Bonding Method

机译：使用表面活性粘合法在环境空气中具有光滑Au薄膜的晶片室温粘合

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Eiji HIGURASHI; Ken OKUMURA; Yutaka KUNIMUNE; Tadatomo SUGA; Kei HAGIWARA;
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年度 2017
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1. Room-temperature direct bonding of germanium wafers by surface-activated bonding method [J] . Eiji Higurashi, Yuta Sasaki, Ryuji Kurayama, Japanese journal of applied physics . 2015,第3期

机译：表面活化键合方法在锗晶片上进行室温直接键合
2. Room-temperature pressureless wafer-scale hermetic sealing in air and vacuum using surface activated bonding with ultrathin Au films [J] . Yamamoto Michitaka, Kunimune Yutaka, Matsumae Takashi, Japanese journal of applied physics . 2020,第SB期

机译：使用表面活性粘合与超薄Au薄膜的空气和真空室温无压力晶片 - 在空气和真空中进行空气压力晶片密封
3. Room-temperature Au-Au bonding in atmospheric air using direct transferred atomically smooth Au film on electroplated patterns [J] . Kurashima Yuichi, Matsumae Takashi, Takagi Hideki Microelectronic Engineering . 2018,第APRa期

机译：在电镀图案上直接转移原子光滑的金膜在大气中的室温金-金结合
4. Room-temperature wafer bonding with smooth Au thin film in ambient air using Ar RF plasma activation [C] . Okumura Ken, Higurashi Eiji, Suga Tadatomo, 2014 4th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration . 2014

机译：使用Ar RF等离子活化，在环境空气中用光滑的Au薄膜进行室温晶圆键合
5. Integration of gallium nitride thin films with dissimilar substrate materials by wafer bonding and laser lift-off. [D] . Wong, William Sam. 1999

机译：通过晶圆键合和激光剥离将氮化镓薄膜与不同的衬底材料集成在一起。
6. Comparison of Argon and Oxygen Plasma Treatments for Ambient Room-Temperature Wafer-Scale Au–Au Bonding Using Ultrathin Au Films [O] . Michitaka Yamamoto, Takashi Matsumae, Yuichi Kurashima, 2019

机译：使用超薄金膜对室温和室温晶圆级Au-Au键进行氩和氧等离子体处理的比较
7. Effect of Exposure to Vacuum Condition in Room-Temperature Direct Bonding of CMP-Cu Thin Films by Surface Activated Bonding (SAB) Method [O] . Akitsu SHIGETOU, Toshihiro ITOH, Tadatomo SUGA 2006

机译：用表面活性键合（SAB）法接触CMP-Cu薄膜室温直接粘合真空条件的影响

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