A Study of Oxygen Precipitation in Heavily Doped Silicon

机译：重掺杂硅氧沉淀的研究

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Robert Graupner;
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年度 2000
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1. Oxygen precipitation heterogeneously nucleating on silicon phosphide precipitates in heavily phosphorus-doped Czochralski silicon [J] . Yuheng Zeng, Xiangyang Ma, Daxi Tian, Journal of Applied Physics . 2009,第9期

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2. High temperature nitrogen annealing induced interstitial oxygen precipitation in silicon epitaxial layer on heavily arsenic-doped silicon wafer [J] . Q. Wang, Manmohan Daggubati, Rong Yu, Applied Physics Letters . 2006,第24期

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3. Impact of germanium co-doping on oxygen precipitation in heavily boron-doped Czochralski silicon [J] . Jian Zhao, Peng Dong, Jianjiang Zhao, Superlattices and microstructures . 2016,第nova期

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4. Study of Oxygen Precipitation and Internal Gettering in Heavily As-doped Silicon Crystal [C] . Qiuyan Hao, Caichi Liu, Hongdi Zhang, International Symposium on Magnetic Industry . 2005

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5. Selective chemical vapor deposition of heavily boron doped silicon-germanium films from disilane, germane and chlorine for source/drain junctions of nanoscale CMOS. [D] . Pesovic, Nemanja. 2002

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6. The Study of Reactive Ion Etching of Heavily Doped Polysilicon Based on HBr/O [O] . Na Zhou, Junjie Li, Haiyang Mao, 2020

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7. A Study of Oxygen Precipitation in Heavily Doped Silicon [O] . Graupner Robert Kurt 1989

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